ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)のグローバル市場(2024~2032):同期DRAM、バースト拡張データ、出力拡張データ、出力非同期DRAM、高速ページモード

【英語タイトル】Dynamic Random Access Memory (DRAM) Market by Type (Synchronous DRAM, Burst Extended Data, Output Extended Data, Output Asynchronous DRAM, Fast Page Mode), Technology (DDR4, DDR3, DDR5/GDDR5, DDR2), End User (IT and Telecommunication, Defense and Aerospace, Media and Entertainment, Medical and Healthcare, Consumer Electronics), and Region 2024-2032

IMARCが出版した調査資料(IMARC24MY334)・商品コード:IMARC24MY334
・発行会社(調査会社):IMARC
・発行日:2024年4月
・ページ数:137
・レポート言語:英語
・レポート形式:PDF
・納品方法:Eメール
・調査対象地域:グローバル
・産業分野:電子&半導体
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❖ レポートの概要 ❖

世界のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)市場規模は、2023年に1,211億米ドルに達しました。今後、IMARC Groupは、2024年から2032年にかけて11.79%の成長率(CAGR)を示し、2032年までに3,398億米ドルに達すると予測しています。民生用電子機器産業の著しい成長、広範な研究開発(R&D)活動、急速な技術進歩が市場を牽引する主な要因のひとつです。
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)は、各ビットのデータをメモリセルに格納する半導体メモリの一種です。DRAMは、集積回路内のキャパシタに一連の電荷としてデータを格納します。一般的なランダム・アクセス・メモリ(RAM)の一種で、パソコン、サーバー、スマートフォン、タブレット、ワークステーションなどで使用されています。DRAM は、1 つのトランジスタで済むシンプルな設計で、プログラムの実行中にメモリの更新や削除が可能です。スタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)と比較して、DRAM は比較的コスト効率が高く、高密度であるため、1 つのデバイスに大量のメモリを搭載することができます。そのため DRAM は、IT およびテレコミュニケーション、防衛および航空宇宙、メディアおよびエンターテイメント、医療およびヘルスケア、家電業界など、幅広い分野で使用されています。

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)市場の動向:
世界的なコンシューマーエレクトロニクス産業の著しい成長は、市場の見通しを明るくする重要な要因の1つです。これに伴い、高度なアプリケーションを実行し、シームレスなユーザー体験を提供するために大容量のメモリを必要とするスマートフォン、タブレット、ノートパソコン、その他の電子機器の人気が高まっていることが、市場の成長を後押ししています。さらに、頻繁にアクセスされるデータや命令を保存するためにDRAMデータセンターが広く採用されたことで、処理速度の高速化とデータ転送速度の高速化が可能になり、これも成長を促進する要因となっています。これとは別に、DRAM のタイミングや電圧設定を動的に調整して性能を最適化し、消費電力を最小限に抑えるために使用される人工知能(AI)の統合が、市場の成長を後押ししています。さらに、メーカーはクロック速度の向上、電圧の低減、高度な省電力機能の実装など、DRAMの性能と効率を改善するためのさまざまな先進技術の導入に注力しており、これが市場成長にプラスの影響を与えています。その他、クラウドコンピューティングの需要増加、高性能DRAMを必要とする5G、仮想現実、拡張現実(VR/AR)などの急速な技術進歩、高メモリのハンドヘルドデバイスの需要増加、広範な研究開発(R&D)活動、ハイブリッドデバイスや超薄型ノートPCなどのコンピューティング分野における新デバイスの発売などが、市場の成長を支えています。

主な市場セグメンテーション
IMARC Groupでは、世界のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)市場の各セグメントにおける主要動向の分析と、2024年から2032年にかけての世界、地域、国レベルでの予測を掲載しています。当レポートでは、市場をタイプ、技術、エンドユーザーに基づいて分類しています。

タイプ別インサイト

同期型DRAM
バースト拡張データ
出力拡張データ
非同期 DRAM
高速ページモード

本レポートでは、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)市場をタイプ別に詳細に分類・分析しています。これには、同期DRAM、バースト拡張データ、出力拡張データ、出力非同期DRAM、高速ページモードが含まれます。同レポートによると、同期DRAMが最大セグメントです。

テクノロジーの洞察

DDR4
DDR3
DDR5/GDDR5
DDR2

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)市場について、技術別の詳細な分類と分析も行っています。これには、DDR4、DDR3、DDR5/GDDR5、DDR2が含まれます。同レポートによると、DDR4が最大の市場シェアを占めています。

エンドユーザーの洞察

ITおよび通信
防衛および航空宇宙
メディアとエンターテインメント
医療・ヘルスケア
コンシューマー・エレクトロニクス

本レポートでは、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)市場をエンドユーザー別に詳細に分類・分析しています。これには、IT・通信、防衛・航空宇宙、メディア・娯楽、医療・ヘルスケア、家電が含まれます。同レポートによると、民生用電子機器が最大セグメントです。

地域別インサイト

北米
米国
カナダ
欧州
ドイツ
フランス
イギリス
イタリア
スペイン
ロシア
その他
アジア太平洋
中国
日本
インド
韓国
オーストラリア
インドネシア
その他
ラテンアメリカ
ブラジル
メキシコ
その他
中東・アフリカ

また、北米(米国、カナダ)、欧州(ドイツ、フランス、英国、イタリア、スペイン、ロシア、その他)、アジア太平洋(中国、日本、インド、韓国、オーストラリア、インドネシア、その他)、中南米(ブラジル、メキシコ、その他)、中東・アフリカを含む主要地域市場についても包括的に分析しています。同レポートによると、アジア太平洋地域はダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)の最大市場。アジア太平洋地域のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)市場を牽引する要因としては、コンシューマエレクトロニクス産業の著しい成長、スマートフォンやタブレットの普及拡大、大規模な研究開発(R&D)活動などが挙げられます。

競争環境:
本レポートでは、世界のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)市場における競争環境についても包括的に分析しています。主要企業の詳細プロフィールも掲載しています。ATP Electronics Inc. (Orient Semiconductor Electronics Ltd.)、Etron Technology Inc.、Integrated Silicon Solution Inc.、Kingston Technology Corporation、Micron Technology Inc.、Nanya Technology Corporation、Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp.、Samsung Electronics Co. Ltd.、SK Hynix Inc.、Transcend Information Inc.、Winbond Electronics Corporationなど。なお、これは一部の企業リストであり、完全なリストは報告書に記載されています。

本レポートで扱う主な質問

1. ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)の世界市場規模は?
2. 2024-2032年におけるDRAM世界市場の成長率は?
3. DRAM (Dynamic Random Access Memory)の世界市場を牽引する主要因は?
4. COVID-19がダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)の世界市場に与えた影響は?
5. DRAM世界市場のタイプ別内訳は?
6. DRAM世界市場の技術別内訳は?
7. DRAM世界市場のエンドユーザー別内訳は?
8. ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)の世界市場における主要地域は?
9. ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)の世界市場における主要プレイヤー/企業は?

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❖ レポートの目次 ❖

1 序文
2 調査範囲と方法論
2.1 調査の目的
2.2 ステークホルダー
2.3 データソース
2.3.1 一次情報源
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法
3 エグゼクティブ・サマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要産業動向
5 動的ランダムアクセスメモリ(DRAM)の世界市場
5.1 市場概要
5.2 市場パフォーマンス
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 タイプ別市場
6.1 同期型DRAM
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 バースト拡張データ
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
6.3 出力拡張データ
6.3.1 市場動向
6.3.2 市場展望
6.4 出力非同期DRAM
6.4.1 市場動向
6.4.2 市場予測
6.5 高速ページモード
6.5.1 市場動向
6.5.2 市場予測
7 技術別市場内訳
7.1 DDR4
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 DDR3
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
7.3 DDR5/GDDR5
7.3.1 市場動向
7.3.2 市場予測
7.4 DDR2
7.4.1 市場動向
7.4.2 市場予測
8 エンドユーザー別市場内訳
8.1 ITと通信
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 防衛・航空宇宙
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
8.3 メディアとエンターテインメント
8.3.1 市場動向
8.3.2 市場予測
8.4 医療とヘルスケア
8.4.1 市場動向
8.4.2 市場予測
8.5 コンシューマー・エレクトロニクス
8.5.1 市場動向
8.5.2 市場予測
9 地域別市場内訳
9.1 北米
9.1.1 米国
9.1.1.1 市場動向
9.1.1.2 市場予測
9.1.2 カナダ
9.1.2.1 市場動向
9.1.2.2 市場予測
9.2 アジア太平洋
9.2.1 中国
9.2.1.1 市場動向
9.2.1.2 市場予測
9.2.2 日本
9.2.2.1 市場動向
9.2.2.2 市場予測
9.2.3 インド
9.2.3.1 市場動向
9.2.3.2 市場予測
9.2.4 韓国
9.2.4.1 市場動向
9.2.4.2 市場予測
9.2.5 オーストラリア
9.2.5.1 市場動向
9.2.5.2 市場予測
9.2.6 インドネシア
9.2.6.1 市場動向
9.2.6.2 市場予測
9.2.7 その他
9.2.7.1 市場動向
9.2.7.2 市場予測
9.3 欧州
9.3.1 ドイツ
9.3.1.1 市場動向
9.3.1.2 市場予測
9.3.2 フランス
9.3.2.1 市場動向
9.3.2.2 市場予測
9.3.3 イギリス
9.3.3.1 市場動向
9.3.3.2 市場予測
9.3.4 イタリア
9.3.4.1 市場動向
9.3.4.2 市場予測
9.3.5 スペイン
9.3.5.1 市場動向
9.3.5.2 市場予測
9.3.6 ロシア
9.3.6.1 市場動向
9.3.6.2 市場予測
9.3.7 その他
9.3.7.1 市場動向
9.3.7.2 市場予測
9.4 中南米
9.4.1 ブラジル
9.4.1.1 市場動向
9.4.1.2 市場予測
9.4.2 メキシコ
9.4.2.1 市場動向
9.4.2.2 市場予測
9.4.3 その他
9.4.3.1 市場動向
9.4.3.2 市場予測
9.5 中東・アフリカ
9.5.1 市場動向
9.5.2 国別市場内訳
9.5.3 市場予測
10 推進要因、阻害要因、機会
10.1 概要
10.2 推進要因
10.3 阻害要因
10.4 機会
11 バリューチェーン分析
12 ポーターズファイブフォース分析
12.1 概要
12.2 買い手の交渉力
12.3 供給者の交渉力
12.4 競争の程度
12.5 新規参入の脅威
12.6 代替品の脅威
13 価格分析
14 競争環境
14.1 市場構造
14.2 主要プレーヤー
14.3 主要プレーヤーのプロフィール
14.3.1 ATP Electronics Inc.
14.3.1.1 会社概要
14.3.1.2 製品ポートフォリオ
14.3.2 Etron Technology Inc.
14.3.2.1 会社概要
14.3.2.2 製品ポートフォリオ
14.3.2.3 財務
14.3.3 インテグレーテッド・シリコン・ソリューション社
14.3.3.1 会社概要
14.3.3.2 製品ポートフォリオ
14.3.3.3 SWOT 分析
14.3.4 キングストンテクノロジー・コーポレーション
14.3.4.1 会社概要
14.3.4.2 製品ポートフォリオ
14.3.5 マイクロンテクノロジー社
14.3.5.1 会社概要
14.3.5.2 製品ポートフォリオ
14.3.5.3 財務
14.3.5.4 SWOT分析
14.3.6 南亜科技股份有限公司
14.3.6.1 会社概要
14.3.6.2 製品ポートフォリオ
14.3.6.3 財務
14.3.7 Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp.
14.3.7.1 会社概要
14.3.7.2 製品ポートフォリオ
14.3.7.3 財務
14.3.8 Samsung Electronics Co. Ltd.
14.3.8.1 会社概要
14.3.8.2 製品ポートフォリオ
14.3.8.3 財務
14.3.8.4 SWOT分析
14.3.9 SK Hynix Inc.
14.3.9.1 会社概要
14.3.9.2 製品ポートフォリオ
14.3.9.3 財務
14.3.9.4 SWOT 分析
14.3.10 トランセンド・インフォメーション Inc.
14.3.10.1 会社概要
14.3.10.2 製品ポートフォリオ
14.3.10.3 財務
14.3.11 ウィンボンド・エレクトロニクス・コーポレーション
14.3.11.1 会社概要
14.3.11.2 製品ポートフォリオ
14.3.11.3 財務
本レポートに掲載されている企業リストは一部です。



❖ 世界のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)市場に関するよくある質問(FAQ) ❖

・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)の世界市場規模は?
→IMARC社は2023年のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)の世界市場規模を1,211億米ドルと推定しています。

・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)の世界市場予測は?
→IMARC社は2032年のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)の世界市場規模を3,398億米ドルと予測しています。

・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)市場の成長率は?
→IMARC社はダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)の世界市場が2024年~2032年に年平均11.8%成長すると予測しています。

・世界のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)市場における主要企業は?
→IMARC社は「ATP Electronics Inc. (Orient Semiconductor Electronics Ltd.)、Etron Technology Inc.、Integrated Silicon Solution Inc.、Kingston Technology Corporation、Micron Technology Inc.、Nanya Technology Corporation、Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp.、Samsung Electronics Co. Ltd、SK Hynix Inc.、Transcend Information Inc.、Winbond Electronics Corporationなど ...」をグローバルダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)市場の主要企業として認識しています。

※上記FAQの市場規模、市場予測、成長率、主要企業に関する情報は本レポートの概要を作成した時点での情報であり、納品レポートの情報と少し異なる場合があります。

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