【英語タイトル】ALD Equipment for Chemical Application Market Research Report Forecast to 2032
	・商品コード：MRF24NOV108 ・発行会社（調査会社）：Market Research Future ・発行日：2024年5月 ・ページ数：142 ・レポート言語：英語 ・レポート形式：PDF ・納品方法：Eメール ・調査対象地域：グローバル ・産業分野：化学品・材料

市場概要化学用ALD装置市場は、予測期間中（2023-2032年）に6.53%のCAGRを記録すると予測されています。ALD装置市場は、最先端半導体とナノテクノロジー用途への関心の拡大に牽引され、著しい発展を示しています。主なドライバーは、精度とスケーリングダウンの要件によって満たされたガジェットや半導体製造のためのALDの受信の高まりを覚えています。ALD装置は、インピーダスステートメントと表面変化において緊急の役割を担い、これらのアプリケーションにおいて比類のない精度を提供します。インピーダス証言では、ALDは反応物表面の均一で制御された被覆を保証し、化学サイクルの生産性を向上させます。表面改質では、この装置は核レベルの変化を可能にし、材料特性に正確に適合します。この能力は、さらなるグリップの向上、消費への対抗、その他のカスタマイズされた品質のために、表面の機能性をアップグレードする上で非常に重要です。このような用途におけるALDの柔軟性は、さまざまなビジネスにおける触媒作用とカスタムメイド材料計画の前進をもたらす基礎技術革新として位置づけられています。

核層形成（ALD）は、ハードウェア・ビジネスにおいて、合理的でメモリ半導体ガジェットのスケーリングに力を与えるものとして知られています。最終的に、このスケーリングは、独自のイレギュラー・アクセス・メモリ（Measure）、高レベル・ブレード・フィールド・インパクト半導体（FinFET）、エントリーウェイ・オールラウンド半導体のようなガジェットの実行改善を促します。ALDは現在、More-than-Moore（MtM）ガジェットの作成に浸透しており、再び新しいモデル、材料、および実行の強化に力を与えています。モデルには、GaNおよびSiC半導体、特にGaN高電子携帯性半導体（HEMT）およびSiCチャネル金属酸化膜半導体FET（MOSFET）、圧電微小電気機械フレームワーク（MEMS）および高周波（RF）ガジェット、または化合物半導体の縮小型発光ダイオード（LED）および小型LEDが含まれます。

半導体ビジネス用の核層声明（ALD）装置は、基板上に材料の超薄型層を格納するために使用されます。この方法は、材料の厚さと品質を正確に管理することが急務である半導体の製造に定期的に利用されています。半導体用ALD装置は、近いうちに大きな発展を遂げるでしょう。携帯電話、タブレット、ウェアラブル端末など、より小型でより生産性の高い電子機器への関心の高まりが、最先端の半導体製造技術への要求を後押ししています。ALDは、証言の相互作用を見事に制御し、優れたグレードの分子的に正確なスリム・ムービーの製造を可能にします。このため、ドア絶縁膜、パッシベーション層、金属および金属窒化膜など、さまざまな半導体用途に最適です。

市場セグメントインサイト
ウェーハサイズに基づき、化学アプリケーション用ALD装置市場は、150mmまで、200mmまで、300mmまでに分類されます。
成膜方法に基づくと、市場はプラズマエンハンスド、サーマル、空間、ロールツーロール、パウダー、その他に分類されます。
成膜タイプでは、酸化物、金属、硫化物、窒化物、粉体に分類されます。
用途別では、化学用ALD装置は触媒蒸着、表面改質、その他に分類されます。

地域別インサイト
アジア太平洋地域の化学用ALD装置は最も高い市場シェアを占めており、予測期間中も重要な収入シェアを占めると予想されています。アジア太平洋地域は、中国、韓国、日本、台湾の重要な半導体の中心地により、ALD装置市場全体において侮れない存在となっています。この地域は、ハードウェアと半導体ビジネスの発展を支えており、研究・改良への大きな関心も加わって、化学アプリケーションにおけるALD装置への関心を高めています。

主要プレイヤー
化学用ALD装置市場で事業を展開している主なプレイヤーは、Applied Materials, Inc.、東京エレクトロン株式会社、Lam Research Corporation、Veeco Instruments Inc、Kurt J. Lesker Company、Eugenus Inc.、Beneq、Forge Nano、ANRIC Technologies、Levitech.