❖本調査レポートの見積依頼/サンプル/購入/質問フォーム❖
レポート概要
窒化ガリウム(GaN)半導体デバイスの世界市場規模は2022年に21億7000万米ドルと評価され、2023年から2030年にかけて年平均成長率（CAGR）25.4％で拡大すると予想されている。市場の成長は、GaN半導体デバイスがシリコンデバイスよりも優れていることに起因している。シリコン材料は、スマートフォン、コンピューター、カメラ、テレビなどの電子機器の製造に使用されてきた。しかし、シリコンの潜在的な革新的特性が鈍化したことで、シリコンの100倍の速度を持つGaN半導体デバイスの機会が生まれた。シリコン・デバイスに対してGaNが提供する利点には、高いエネルギー効率、低コスト、デバイス速度の高速化などがある。
世界的な電気自動車の増加が市場を牽引すると予想されている。これは、GaNによって自動車メーカーが車両の充電時間を短縮し、コスト効率を改善し、電力密度を高め、走行距離を伸ばすことができるためである。そのため、さまざまな企業が電気自動車（EV）向けにGaNシステムを提供しようと努力している。例えば、2021年11月、GaNパワー半導体プロバイダーであるGaN Systems社は、ASE Technologies社の子会社であるUniversal Scientific Industrial Co.この提携は、EV市場向けのGaNパワーモジュールの開発を目的としたものである。
さまざまなGaN半導体デバイスメーカーがベンチャーキャピタル企業から資金提供を受けており、これが提供製品や市場での地位向上に役立っている。例えば、2021年11月、パワーチップメーカーのGaN Systems社は、資金調達ラウンドで1億5000万米ドルを調達したと発表した。同社はこの資金調達により、民生、自動車、産業、企業市場においてGaN技術の採用とイノベーションを加速させた。さらに2021年2月、ファブレス半導体企業のケンブリッジ・ガーン・デバイセズはシリーズAラウンドで950万米ドルを調達した。同社はこの資金調達でGaN製品ポートフォリオを拡充した。
エネルギー効率の高いモバイルネットワークを実現するため、5GマルチチップモジュールにおけるGaNの需要が高まっている。そのため、さまざまな半導体企業が5GマルチチップモジュールにGaNを統合する努力を行っている。例えば、NXPセミコンダクターズは2021年6月、マルチチップモジュールへのGaN技術の統合を発表した。マルチチップモジュールにGaNを使用することで、同社の従来のモジュールよりも効率が向上した。
また、世界的なロボットの出荷台数の増加も市場を牽引すると予想される。GaNはモーション・コントロールやロボット用のサーボ・ドライブに使用される。国際ロボット連盟の統計によると、ロボットの年間販売台数は2020年の465千台から2022年には584千台に増加する。製造プロセスにおける自動化のニーズの高まりや技術の進歩は、予測期間中にロボットユニットの販売を促進すると予想される要因の一部である。
COVID-19 影響分析
COVID-19のパンデミックは、いくつかの主要な経済圏で閉鎖につながった。その結果、エレクトロニクス製品の売上が減少し、サプライチェーンが混乱している。さらに、多くの経済圏では、ロックダウンのために製造装置が停止し、大幅な収入減に苦しんでいる。全体的な状況は、2020年と2021年の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの需要に悪影響を与えた。
製品インサイト
光半導体セグメントは2022年に市場を支配し、世界売上高の35.0％以上のシェアを占めた。これは、LED、太陽電池、フォトダイオード、レーザー、オプトエレクトロニクスなどのデバイスにおける光半導体の応用によるところが大きい。自動車分野では、車載用ライト、屋内外照明、パルスパワーレーザーに光半導体を利用するケースが増えている。このため、自動車業界や家電業界における光半導体の採用が進んでいる。さらに、光半導体は、LiDAR（Light Detection and Ranging）やパルスレーザーなどのアプリケーションで広く使用されており、この分野の成長にとって良い兆しとなっている。
GaN無線周波数デバイスセグメントは、予測期間中に最も高いCAGRで拡大すると予測されている。窒化ガリウム無線周波数デバイスは、民生用電子機器や防衛産業など、幅広い用途で使用されるようになってきており、市場の早期導入が進んでいる。また、これらのデバイスは、適度なコストで高性能を実現するため、即席爆発装置（IED）にも使用されており、これが同分野をさらに牽引すると予想される。さらに、高周波GaNデバイスは車両通信システムや電気自動車のビークル・ツー・グリッド通信システムにも使用されている。
コンポーネント・インサイト
2022年にはトランジスタセグメントが市場を支配し、世界売上高の36.0%以上のシェアを占めた。近年、GaNベースのパワートランジスタと4G技術対応デバイスの採用が増加しており、その結果、通信分野で使用される基地局用のハイパワートランジスタの需要が増加している。シリコンベースのトランジスタと比較して、GaNベースのトランジスタは高電力密度と高スイッチ周波数で効率的かつ機能的であるため、2021年のトランジスタ・セグメントにおけるシェアはより大きくなる。さらに、電界効果トランジスタ（FET）や絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）といったGaNトランジスタの電気自動車やハイブリッド車の推進システムへの採用が増加していることも、同分野の成長を後押ししている。さらに、NXPセミコンダクターズ、Qorvo, Inc.、Cree, Inc.などの企業がGaNベースのRFパワートランジスタの開発に注力しており、これがセグメント成長の好材料となっている。例えば、窒化ガリウム半導体のソリューションプロバイダーであるGaN Systems社は、2022年6月にGaNベースのトランジスタGS-065-018-2-Lを発表した。GS-065-018-2-Lは高性能、堅牢性の向上、850VのVDS（過渡）定格を提供する。
パワーIC分野は、予測期間中に安定した成長が見込まれる。同分野の成長は、効率的なナビゲーション、衝突回避、リアルタイム航空管制などの機能を提供するGaNベースのパワーICの利用が増加していることに起因している。さらに、富士通株式会社、Qorvo, Inc.、株式会社東芝などの企業が、通信および車載アプリケーション向けパワーICの開発に注力していることも、このセグメントの成長を後押ししている。例えば、Qorvo, Inc.は2017年6月、5Gワイヤレス基地局、端末、ポイント・ツー・ポイント通信などの用途向けに、次世代5Gワイヤレスフロントエンドモジュール・デュアルチャネルIC-QPF4005-を発表した。さらに、2019年12月、東芝電子デバイス＆ストレージ株式会社は、車載アプリケーション向けのパワーIC「TB9045FNG」の発売を発表した。
ウェハーサイズの洞察
2022年には4インチセグメントが市場を支配し、世界売上高の38.0%以上を占めた。これは、4インチウェーハが半導体デバイスの大規模生産を容易にするためである。4インチウェーハは2インチウェーハの限界を克服するのに役立ち、半導体製品ベースの産業で広く使用されているため、4インチウェーハの導入は急速に増加している。さらに、ハイパワーアンプ、オプトエレクトロニクスデバイス、テレコムフロントエンド、高温デバイスにおいて、4インチウェーハを用いた窒化ガリウムデバイスの需要が増加していることが、このセグメントを牽引している。さらに、4インチ基板は放射線硬化特性を持っているため、宇宙通信アプリケーションに適しており、これがセグメント成長に影響を与える主要因になると予測されている。
6インチセグメントは予測期間中最も高いCAGRで拡大すると予測されている。6インチウェーハが提供する均一な電圧供給や正確な電流制御などの利点が、このセグメントを牽引している。6インチウェーハは、電圧の均一性を高め、電流を正確に制御するように設計されている。高耐圧や低リーク電流といった利点から、防衛機器や民生用電子機器に幅広く応用されている。さらに、無線セルラー基地局用モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)パワーアンプや自動車衝突回避システムなどの商用アプリケーションで6インチウェーハの採用が増加していることも、このセグメントの成長に良い兆しをもたらしている。
最終用途の洞察
情報通信技術（ICT）セグメントは、2022年の市場を支配し、世界売上高の23.0％以上のシェアを占めた。このセグメントの成長は、モノのインターネット（IoT）技術の採用が世界的に増加していることに起因している。IoTデバイスは、情報の絶え間ない交換を促進する効率的でコスト効率の高いコンポーネントを要求している。GaNベースの半導体は、IoT対応製品が適切に機能するための低消費電力と高効率の要件を満たすと期待されている。さらに、これらの半導体は、分散アンテナシステム（DAS）、スモールセル、リモートラジオヘッドネットワークの高密度化に広く使用されている。また、データセンター、サーバー、基地局、伝送路、衛星通信、基地トランシーバー局などでも使用されている。
防衛・航空宇宙分野の成長は、通信、電子戦、レーダーの帯域幅と性能信頼性を高めるために、防衛・航空宇宙分野でGaN技術の応用が拡大していることに起因している。レーダーボードに使用されるICにはGaNが組み込まれており、効率的なナビゲーションを可能にし、衝突回避を容易にし、リアルタイムの航空交通管制を可能にする。さらに、GaN半導体が提供する高い動作周波数は、レーダー通信、地上無線、軍事用ジャマーでの使用に適している。さらに、ソフトウェア定義無線用のアンプで広帯域GaNパワートランジスタの使用が増加していることも、このセグメントの成長をもたらす主な要因である。
地域インサイト
北米地域市場は2022年に市場を支配し、世界売上高の33.0%以上のシェアを占めた。防衛・航空宇宙産業からの研究開発投資の増加が、同地域の市場成長に拍車をかけている。さらに、政府機関が半導体企業に提供する資金が、同地域の市場を牽引すると期待されている。例えば、米国の国会議員は2020年6月、半導体メーカーに228億米ドル以上の支援を提供する法案を提出した。この法案は、米国内のチップ工場建設に拍車をかけることを目的としている。
アジア太平洋地域市場は、急速な技術進歩により高性能で効率的な無線周波数部品への需要が高まっているため、予測期間を通じて最も急成長するセグメントとして浮上すると予想される。この地域の中国や日本などの国々は、LEDディスプレイ機器、スマートフォン、ゲーム機などの民生用電子機器の最大手メーカーである。これが同地域市場の成長を後押しする重要な要因となっている。中国、韓国、インドなどの国々では、国防予算が拡大した結果、信頼性の高い通信機器への需要が拡大しており、この需要が窒化ガリウムベースのRF機器市場を押し上げると予想される。アジア太平洋地域では、通信インフラの整備とワイヤレス電子機器の利用が顕著に増加しており、市場の拡大をさらに後押ししている。
主要企業と市場シェア
この業界の特徴は、大きな市場シェアを持つ有力企業が存在することである。主要プレーヤーは、より大きな市場シェアとGaNベース半導体の製造に必要な能力を獲得するために、戦略的パートナーシップ、コラボレーション、M&Aを選択している。例えば、2019年3月、Cree, Inc.は、GaN半導体デバイスのメーカーであるAdvanced Technology Materials Corp.の買収を完了した。この買収により、同社は中国における地理的プレゼンスを拡大した。
同市場に参入している企業は、GaN技術の進歩のために研究開発活動に多額の投資を行っている。2021年2月、Efficient Power Conversion Corporationは、ルネサスISL 81806とEPC2218 eGANを統合し、90%以上の効率を達成したEPC9157を発表した。ルネサスISL 81806は、GaNの高性能を生かし、ハイパワーソリューションの実現とBOMコストの削減、さらにシリコン内蔵FETを使用した場合と同様のシンプルな設計を実現した。2019年12月、富士通株式会社はGaN HEMTの表面にダイヤモンド膜を製造する新しい設計を開発した。この技術は、機器の動作中の発熱を40％減少させるのに役立ち、気象レーダーや通信部品に主に使用された。窒化ガリウム(GaN)半導体デバイスの世界市場における有力企業には以下のようなものがある：
クリー社
エフィシェント・パワー・コンバージョン株式会社
富士通株式会社
GaNシステム
インフィニオン・テクノロジーズAG
ネクスジェン・パワーシステムズ
NXPセミコンダクター
Qorvo, Inc.
テキサス・インスツルメンツ・インコーポレイテッド
株式会社東芝
窒化ガリウム半導体デバイスの世界市場細分化
本レポートでは、世界、地域、国レベルでの収益成長を予測し、2017年から2030年までの各サブセグメントにおける最新の業界動向とビジネスチャンスの分析を提供しています。この調査の目的のため、Grand View Research社は世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場レポートを製品、コンポーネント、ウェハサイズ、最終用途、地域に基づいて区分しています：
製品の展望（売上高、百万米ドル、2017年～2030年）
GaN高周波デバイス
光半導体
パワー半導体
コンポーネントの展望（売上高、百万米ドル、2017年～2030年）
トランジスタ
ダイオード
整流器
パワーIC
その他
ウェーハサイズの展望（売上高、百万米ドル、2017年～2030年）
2インチ
4インチ
6インチ
8インチ
最終用途の展望（売上高、百万米ドル、2017年～2030年）
自動車
コンシューマー・エレクトロニクス
防衛・航空宇宙
ヘルスケア
産業・電力
情報通信技術
その他
地域別展望（売上高、百万米ドル、2017年～2030年）
北米
米国
カナダ
ヨーロッパ
英国
ドイツ
アジア太平洋
インド
中国
日本
ラテンアメリカ
ブラジル
中東・アフリカ
第1章 窒化ガリウム半導体デバイス市場：調査方法と調査範囲
1.1 調査方法
1.2 調査範囲と前提条件
1.3 データソース一覧
第2章 ガリウムナイトライド半導体デバイス市場：エグゼクティブサマリー
2.1 市場スナップショット
2.2 セグメント別スナップショット
2.3 競争環境スナップショット
第3章 ガリウムナイトライド半導体デバイス市場：産業展望
3.1 市場セグメントとスコープ
3.2 窒化ガリウム(GaN)半導体デバイス市場：バリューチェーン分析
3.3 窒化ガリウム(GaN)半導体デバイス市場：市場ダイナミクス
3.3.1 市場ドライバー分析
3.3.1.1 GaN技術の進歩
3.3.1.2 無線通信アプリケーションにおけるRF GaN半導体の需要
3.3.1.3 電気自動車におけるGaN半導体の使用増加
3.3.2 市場の課題分析
3.3.2.1 窒化ガリウム（GaN）バルクの高コスト
3.3.3 市場機会分析
3.3.3.1 5GインフラにおけるGaNの使用増加
3.4 普及と成長の見通しマッピング
3.5 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場-ポーターの5つの力分析
3.6 窒化ガリウム(GaN)半導体デバイス市場-PESTEL分析
第4章 硝酸ガリウム(GaN)半導体デバイス製品の展望
4.1 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの製品別市場シェア（2022年
4.1.1 世界のGaN半導体デバイス市場、製品別
4.2 GaN高周波デバイス
4.2.1 GaN高周波デバイス市場、2017年～2030年
4.3 光半導体
4.3.1 光半導体市場、2017年～2030年
4.4 パワー半導体
4.4.1 パワー半導体市場、2017年～2030年
第5章 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの部品展望
5.1 GaN半導体デバイスのコンポーネント別市場シェア（2022年
5.1.1 世界のGaN半導体デバイス市場、コンポーネント別
5.2 パワーIC
5.2.1 パワーIC用GaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
5.3 トランジスタ
5.3.1 トランジスタGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
5.4 整流器
5.4.1 整流器GaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
5.5 ダイオード
5.5.1 ダイオードGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
5.6 その他
5.6.1 その他のGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
第6章 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス ウエハサイズ展望
6.1 GaN半導体デバイスのウェーハサイズ別市場シェア（2022年
6.1.1 世界のGaN半導体デバイス市場、ウェーハサイズ別
6.2 2インチ
6.2.1 2インチウェーハサイズGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
6.3 4インチ
6.3.1 4インチウェーハサイズGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
6.4 6インチ
6.4.1 6インチウェーハサイズGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
6.5 8インチ
6.5.1 8インチウェーハサイズGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
第7章 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの最終用途展望
7.1 GaN半導体デバイスの最終用途別市場シェア（2022年
7.1.1 世界のGaN半導体デバイス市場、最終用途別
7.2 自動車
7.2.1 自動車向けGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
7.3 民生用電子機器
7.3.1 民生用電子機器におけるGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
7.4 防衛・航空宇宙
7.4.1 防衛・航空宇宙分野におけるGaN半導体デバイス市場（2017年～2030年
7.5 ヘルスケア
7.5.1 ヘルスケア分野のGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
7.6 情報通信技術
7.6.1 情報通信技術におけるGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
7.7 産業・電力
7.7.1 産業・電力分野におけるGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
7.8 その他
7.8.1 その他の最終用途におけるGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
第8章 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスのシステム展望
8.1 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの分析
8.1.1 MOCVDシステムの動向
8.1.2 MBEシステムの動向
第9章 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの地域展望
9.1 GaN半導体デバイスの地域別市場シェア（2022年
9.1.1 窒化ガリウム(GaN)半導体デバイス市場
9.1.2 世界のGaN半導体デバイス市場、地域別、2017年～2030年
9.2 北米
9.2.1 北米GaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
9.2.2 北米GaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年
9.2.3 北米GaN半導体デバイス市場：部品別、2017年～2030年
9.2.4 北米GaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年
9.2.5 北米GaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017年～2030年
9.2.6 米国
9.2.6.1 米国GaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
9.2.6.2 米国のGaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年
9.2.6.3 米国のGaN半導体デバイス市場：部品別、2017年～2030年
9.2.6.4 米国GaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年
9.2.6.5 米国GaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017年～2030年
9.2.7 カナダ
9.2.7.1 カナダGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
9.2.7.2 カナダ GaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年
9.2.7.3 カナダGaN半導体デバイス市場：部品別、2017年～2030年
9.2.7.4 カナダGaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年
9.2.7.5 カナダGaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017年～2030年
9.3 欧州
9.3.1 欧州GaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
9.3.2 欧州GaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年
9.3.3 欧州GaN半導体デバイス市場：部品別、2017年～2030年
9.3.4 欧州GaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年
9.3.5 欧州GaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017年～2030年
9.3.6 英国
9.3.6.1 英国GaN半導体デバイス市場：2017年～2030年
9.3.6.2 英国GaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年
9.3.6.3 英国GaN半導体デバイス市場：部品別、2017年～2030年
9.3.6.4 英国GaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年
9.3.6.5 英国GaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017年～2030年
9.3.7 . ドイツ
9.3.7.1 ドイツ GaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
9.3.7.2 ドイツ GaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年
9.3.7.3 ドイツ GaN半導体デバイス市場、部品別、2017年～2030年
9.3.7.4 ドイツ GaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年
9.3.7.5 ドイツGaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017年～2030年
9.4 アジア太平洋地域
9.4.1 アジア太平洋地域のGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
9.4.2 アジア太平洋地域のGaN半導体デバイス市場、製品別、2017年～2030年
9.4.3 アジア太平洋地域のGaN半導体デバイス市場、部品別、2017年～2030年
9.4.4 アジア太平洋地域のGaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年
9.4.5 アジア太平洋地域のGaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017年～2030年
9.4.6 中国
9.4.6.1 中国GaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
9.4.6.2 中国GaN半導体デバイス市場、製品別、2017年～2030年
9.4.6.3 中国GaN半導体デバイス市場：部品別、2017年～2030年
9.4.6.4 中国GaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年
9.4.6.5 中国GaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017年～2030年
9.4.7 . インド
9.4.7.1 インドGaN半導体デバイス市場：2017年～2030年
9.4.7.2 インドGaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年
9.4.7.3 インドGaN半導体デバイス市場：部品別、2017年～2030年
9.4.7.4 インドGaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年
9.4.7.5 インドGaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017年～2030年
9.4.8 日本
9.4.8.1 日本のGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
9.4.8.2 日本のGaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年
9.4.8.3 日本のGaN半導体デバイス市場：部品別、2017年～2030年
9.4.8.4 日本のGaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年
9.4.8.5 日本のGaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017年～2030年
9.5 中南米
9.5.1 中南米GaN半導体デバイス市場、2017年～2030年
9.5.2 中南米GaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年
9.5.3 中南米GaN半導体デバイス市場：部品別、2017年～2030年
9.5.4 中南米GaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年
9.5.5 中南米GaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017年～2030年
9.5.6 ブラジル
9.5.6.1 ブラジルGaN半導体デバイス市場：2017年～2030年
9.5.6.2 ブラジルGaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年
9.5.6.3 ブラジルのGaN半導体デバイス市場：部品別、2017年～2030年
9.5.6.4 ブラジルのGaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年
9.5.6.5 ブラジルのGaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017年～2030年
9.6 MEA
9.6.1 MEA GaN半導体デバイス市場：2017年～2030年
9.6.2 MEA GaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年
9.6.3 MEA GaN半導体デバイス市場、部品別、2017年～2030年
9.6.4 MEA GaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年
9.6.5 MEA GaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017年～2030年
第10章 競争分析
10.1 主要市場参入企業別の最新動向と影響分析
10.2 企業／競合の分類（主要イノベーター、市場リーダー、新興プレイヤー）
10.3 ベンダーの状況
10.3.1 主要企業の市場シェア分析（2022年
10.3.2 ベンダーランドスケープ
10.3.3 企業分析ツール
10.3.3.1 企業の市場ポジション分析
10.3.3.2 競合ダッシュボード分析
第11章 競争環境
11.1 ウルフスピード株式会社
11.1.1 会社概要
11.1.2 財務パフォーマンス
11.1.3 製品ベンチマーク
11.1.4 戦略的取り組み
11.2 エフィシェント・パワー・コンバージョン・コーポレーション
11.2.1 会社概要
11.2.2 製品ベンチマーク
11.2.3 戦略的取り組み
11.3 富士通
11.3.1 会社概要
11.3.2 業績
11.3.3 製品ベンチマーク
11.3.4 戦略的取り組み
11.4 GaNシステムズ
11.4.1 会社概要
11.4.2 製品ベンチマーク
11.4.3 戦略的取り組み
11.5 インフィニオン・テクノロジーズAG
11.5.1 会社概要
11.5.2 業績
11.5.3 製品ベンチマーク
11.5.4 戦略的取り組み
11.6 ネクスジェンパワーシステムズ
11.6.1 会社概要
11.6.2 製品ベンチマーク
11.6.3 戦略的取り組み
11.7 NXPセミコンダクターズ
11.7.1 会社概要
11.7.2 業績
11.7.3 製品ベンチマーク
11.7.4 戦略的取り組み
11.8 Qorvo, Inc.
11.8.1 会社概要
11.8.2 業績
11.8.3 製品ベンチマーク
11.8.4 戦略的取り組み
11.9 テキサス・インスツルメンツ
11.9.1 会社概要
11.9.2 業績
11.9.3 製品ベンチマーク
11.9.4 戦略的取り組み
11.10 株式会社東芝
11.10.1 会社概要
11.10.2 業績
11.10.3 製品ベンチマーク
11.10.4 戦略的取り組み
11.11 ナビタスセミコンダクター
11.11.1 会社概要
11.11.2 製品ベンチマーク
11.11.3 戦略的取り組み
テーブル一覧
表1 GaN仕様の進歩
表2 GaN、Si、SiCの比較
表3 GaN半導体デバイスの世界市場、製品別、2017年～2030年（百万米ドル）
表4 GaN高周波デバイス市場、2017～2030年（百万米ドル、千ユニット）
表5 GaN無線周波数デバイス市場、地域別、2017年～2030年（百万米ドル）
表6 光半導体市場、2017年～2030年（百万米ドル）
表7 光半導体市場：地域別、2017年～2030年（百万米ドル）
表8 パワー半導体市場、2017年～2030年（百万米ドル）
表9 パワー半導体市場、地域別、2017年～2030年（百万米ドル）
表 10 GaN半導体デバイスの世界市場：部品別、2017年～2030年（百万米ドル）
表11 パワーIC用GaN半導体デバイス市場、2017年～2030年（百万米ドル）
表12 パワーIC用GaN半導体デバイス市場、地域別、2017年～2030年（百万米ドル）
表 13 トランジスタGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年（百万米ドル）
表14 トランジスタGaN半導体デバイス市場、地域別、2017年～2030年（百万米ドル）
表 15 整流器GaN半導体デバイス市場、2017～2030年（百万米ドル）
表16 整流器GaN半導体デバイス市場、地域別、2017年～2030年（百万米ドル）
表 17 ダイオードGaN半導体デバイス市場、2017～2030年（百万米ドル）
表18 ダイオードGaN半導体デバイス市場、地域別、2017年～2030年（百万米ドル）
表 19 その他のGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年（百万米ドル）
表20 その他のGaN半導体デバイス市場、地域別、2017年～2030年（百万米ドル）
表21 世界のGaN半導体デバイス市場、ウェーハサイズ別、2017年～2030年（百万米ドル）
表22 2インチウェーハサイズGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年（百万米ドル）
表23 2インチウェーハサイズGaN半導体デバイス市場、地域別、2017年～2030年（USD Million）
表24 4インチウェーハサイズGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年（百万米ドル）
表25 4インチウェーハサイズGaN半導体デバイス市場、地域別、2017年～2030年（百万米ドル）
表 26 6インチウェーハサイズGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年（百万米ドル）
表27 6インチウェーハサイズGaN半導体デバイス市場、地域別、2017年～2030年（百万米ドル）
表28 8インチウェーハサイズGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年（百万米ドル）
表29 8インチウェーハサイズGaN半導体デバイス市場、地域別、2017年～2030年（百万米ドル）
表 30 GaN 半導体デバイスの世界市場：最終用途別、2017～2030 年（百万米ドル）
表31 自動車用GaN半導体デバイス市場、2017年～2030年（百万米ドル）
表 32 車載用 GaN 半導体デバイス市場、地域別、2017～2030 年（百万米ドル）
表33 民生用電子機器におけるGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年（百万米ドル）
表34 民生用電子機器におけるGaN半導体デバイス市場、地域別、2017年～2030年（百万米ドル）
表 35 防衛・航空宇宙分野の GaN 半導体デバイス市場（2017～2030 年）（百万米ドル
TABLE 36 防衛・航空宇宙分野のGaN半導体デバイス市場、地域別、2017年～2030年（百万米ドル）
表 37 ヘルスケアの GaN 半導体デバイス市場、2017～2030 年（百万米ドル）
TABLE 38 ヘルスケアのGaN半導体デバイス市場、地域別、2017年～2030年（USD Million）
表 39 情報通信技術における GaN 半導体デバイス市場、2017～2030 年（百万米ドル）
表40 情報通信技術におけるGaN半導体デバイス市場、地域別、2017年～2030年（百万米ドル）
表 41 産業・電力分野の GaN 半導体デバイス市場、2017～2030 年（百万米ドル）
TABLE 42 産業・電力向けGaN半導体デバイス市場、地域別、2017年～2030年（百万米ドル）
TABLE 43 その他の最終用途におけるGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年（USD Million）
TABLE 44 その他の最終用途におけるGaN半導体デバイス市場、地域別、2017年～2030年（USD Million）
表45 GaN半導体デバイスの世界市場、2017年～2030年（百万米ドル、千ユニット）
表46 GaN半導体デバイスの世界市場、地域別、2017年～2030年（百万米ドル）
TABLE 47 GaN半導体デバイスの世界市場：地域別 2017年～2030年（千台）
表48 北米GaN半導体デバイス市場、2017～2030年（百万米ドル、千台）
TABLE 49 北米GaN半導体デバイス市場：製品別、2017～2030年（百万米ドル）
表50 北米GaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年（千ユニット）
表51 北米GaN半導体デバイス市場：部品別、2017年～2030年（百万米ドル）
TABLE 52 北米GaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別：2017年～2030年（百万米ドル）
表 53 北米 GaN 半導体デバイス市場：最終用途別、2017～2030 年（百万米ドル）
表54 米国GaN半導体デバイス市場、2017～2030年（百万米ドル）
表55 米国GaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年（百万米ドル）
表56 米国GaN半導体デバイス市場：部品別、2017～2030年（百万米ドル）
表57 米国GaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017～2030年（百万米ドル）
表 58 米国の GaN 半導体デバイス市場：最終用途別、2017～2030 年（百万米ドル）
表59 カナダGaN半導体デバイス市場、2017～2030年（百万米ドル）
表60 カナダGaN半導体デバイス市場：製品別、2017～2030年（百万米ドル）
表 61 カナダ GaN 半導体デバイス市場：部品別、2017～2030 年（百万米ドル）
表62 カナダGaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017～2030年（百万米ドル）
表63 カナダGaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017年～2030年（百万米ドル）
TABLE 64 欧州GaN半導体デバイス市場：2017～2030年（百万米ドル、千台）
TABLE 65 欧州GaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年（百万米ドル）
表66 欧州GaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年（千台）
表67 欧州GaN半導体デバイス市場：部品別、2017年～2030年（百万米ドル）
表68 欧州GaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年（百万米ドル）
表69 欧州GaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017～2030年（百万米ドル）
表70 英国GaN半導体デバイス市場、2017～2030年（百万米ドル）
表71 英国GaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年（百万米ドル）
表72 英国GaN半導体デバイス市場：部品別、2017～2030年（百万米ドル）
表73 英国GaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017～2030年（百万米ドル）
表 74 英国 GaN 半導体デバイス市場：最終用途別、2017～2030 年（百万米ドル）
表75 ドイツGaN半導体デバイス市場、2017～2030年（百万米ドル）
表76 ドイツGaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年（百万米ドル）
表 77 ドイツ GaN 半導体デバイス市場、部品別、2017 – 2030 (USD Million)
表78 ドイツGaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017～2030年（百万米ドル）
表 79 ドイツ GaN 半導体デバイス市場：最終用途別、2017 – 2030 (USD Million)
表80 アジア太平洋地域のGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年（百万米ドル、千台）
表81 アジア太平洋地域のGaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年（百万米ドル）
表82 アジア太平洋地域のGaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年（千台）
表83 アジア太平洋地域のGaN半導体デバイス市場：部品別、2017年～2030年（百万米ドル）
表84 アジア太平洋地域のGaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年（百万米ドル）
表 85 アジア太平洋地域の GaN 半導体デバイス市場：最終用途別、2017～2030 年（百万米ドル）
表86 中国GaN半導体デバイス市場、2017年～2030年（百万米ドル）
表87 中国GaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年（百万米ドル）
表 88 中国 GaN 半導体デバイス市場、部品別、2017 – 2030 (USD Million)
表89 中国GaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年（百万米ドル）
表90 中国GaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017年～2030年（百万米ドル）
表91 インドGaN半導体デバイス市場、2017年～2030年（百万米ドル）
TABLE 92 インドGaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年（百万米ドル）
表 93 インド GaN 半導体デバイス市場、部品別、2017 – 2030 (USD Million)
表94 インドGaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年（百万米ドル）
表95 インドGaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017年～2030年（百万米ドル）
表96 日本GaN半導体デバイス市場、2017年～2030年（百万米ドル）
TABLE 97 日本のGaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年（百万米ドル）
TABLE 98 日本のGaN半導体デバイス市場：部品別、2017年～2030年（百万米ドル）
表99 日本GaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年（百万米ドル）
表100 日本GaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017年～2030年（百万米ドル）
表101 中南米GaN半導体デバイス市場、2017年～2030年（百万米ドル、千台）
TABLE 102 ラテンアメリカGaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年（百万米ドル）
TABLE 103 ラテンアメリカGaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年（千台）
TABLE 104 ラテンアメリカGaN半導体デバイス市場：部品別、2017年～2030年（百万米ドル）
表105 ラテンアメリカGaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年（百万米ドル）
表106 ラテンアメリカGaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017年～2030年（百万米ドル）
表 107 ブラジルGaN半導体デバイス市場：2017～2030年（百万米ドル）
表108 ブラジルGaN半導体デバイス市場：製品別、2017～2030年（百万米ドル）
表 109 ブラジル GaN 半導体デバイス市場：部品別、2017～2030 (USD Million)
表110 ブラジルGaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017～2030年（百万米ドル）
表111 ブラジルGaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017年～2030年（百万米ドル）
TABLE 112 MEA GaN半導体デバイス市場：2017～2030年（百万米ドル、千台）
TABLE 113 MEA GaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年（百万米ドル）
表114 MEA GaN半導体デバイス市場：製品別、2017年～2030年（千台）
表115 MEA GaN半導体デバイス市場：部品別、2017年～2030年（百万米ドル）
表116 MEA GaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2017年～2030年（百万米ドル）
TABLE 117 MEA GaN半導体デバイス市場：最終用途別、2017～2030年（百万米ドル）
TABLE 118 最近の動向と影響分析（主要市場参入企業別
表119 企業の分類
表120 ベンダーの状況
図表一覧
図1 市場スナップショット（2022年
図2 セグメント別スナップショット
図3 セグメント別スナップショット
図4 セグメント別スナップショット
図5 競争環境スナップショット
図6 市場セグメンテーションとスコープ
図7 GaN半導体デバイス市場-バリューチェーン分析
図8 GaN半導体デバイス市場-市場ダイナミクス
図9 GaN半導体デバイス市場-主要市場ドライバーの影響
図 10 アプリケーション別 GaN 要件（0～6 段階の GVR 調査）、2021 年
図11 各種アプリケーションにおけるRF GaN実装率（2019年）
図12 EV普及率、2021年(%)
図13 GaN半導体デバイス市場-主な市場課題インパクト
図 14 2020 年までのアンモノサーマル 2 インチウェーハ上の GaN 価格予測（単位：米ドル）
図 15 GaN 半導体デバイス市場-主な市場機会インパクト
図 16 技術別ドレイン効率(%)
図17 優先される主要機会
図18 GaN半導体デバイス市場-ポーターの5つの力分析
図19 GaN半導体デバイス市場-PESTEL分析
図20 GaN半導体デバイス市場、製品別、2022年
図21 GaN半導体デバイス市場、部品別、2022年
図22 GaN半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別、2022年
図23 GaN半導体デバイス市場：最終用途別、2022年
図24 GaN半導体デバイス市場：地域別、2022年
図25 GaN半導体デバイス市場-地域別要点
図 26 北米 GaN 半導体デバイス市場-主要な要点
図27 欧州GaN半導体デバイス市場-要点
図28 アジア太平洋地域のGaN半導体デバイス市場-注目点
図29 中南米GaN半導体デバイス市場-注目点
図30 GaN半導体デバイス市場-注目点
図31 GaN半導体デバイス市場-シェア分析
図32 GaN半導体デバイス市場-ポジション分析、2022年
図33 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場-競合ダッシュボード分析
