1 序文
2 調査範囲と方法論
2.1 調査の目的
2.2 ステークホルダー
2.3 データソース
2.3.1 一次情報源
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法
3 エグゼクティブ・サマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要産業動向
5 磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場
5.1 市場概要
5.2 市場パフォーマンス
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 タイプ別市場
6.1 トグルMRAM
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 スピントランスファートルクMRAM（STT-MRAM）
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
7 オファリング別市場内訳
7.1 スタンドアロン
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 組み込み型
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
8 アプリケーション別市場
8.1 コンシューマー・エレクトロニクス
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 ロボット
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
8.3 企業向けストレージ
8.3.1 市場動向
8.3.2 市場予測
8.4 自動車
8.4.1 市場動向
8.4.2 市場予測
8.5 航空宇宙・防衛
8.5.1 市場動向
8.5.2 市場予測
8.6 その他
8.6.1 市場動向
8.6.2 市場予測
9 地域別市場内訳
9.1 北米
9.1.1 米国
9.1.1.1 市場動向
9.1.1.2 市場予測
9.1.2 カナダ
9.1.2.1 市場動向
9.1.2.2 市場予測
9.2 アジア太平洋
9.2.1 中国
9.2.1.1 市場動向
9.2.1.2 市場予測
9.2.2 日本
9.2.2.1 市場動向
9.2.2.2 市場予測
9.2.3 インド
9.2.3.1 市場動向
9.2.3.2 市場予測
9.2.4 韓国
9.2.4.1 市場動向
9.2.4.2 市場予測
9.2.5 オーストラリア
9.2.5.1 市場動向
9.2.5.2 市場予測
9.2.6 インドネシア
9.2.6.1 市場動向
9.2.6.2 市場予測
9.2.7 その他
9.2.7.1 市場動向
9.2.7.2 市場予測
9.3 欧州
9.3.1 ドイツ
9.3.1.1 市場動向
9.3.1.2 市場予測
9.3.2 フランス
9.3.2.1 市場動向
9.3.2.2 市場予測
9.3.3 イギリス
9.3.3.1 市場動向
9.3.3.2 市場予測
9.3.4 イタリア
9.3.4.1 市場動向
9.3.4.2 市場予測
9.3.5 スペイン
9.3.5.1 市場動向
9.3.5.2 市場予測
9.3.6 ロシア
9.3.6.1 市場動向
9.3.6.2 市場予測
9.3.7 その他
9.3.7.1 市場動向
9.3.7.2 市場予測
9.4 中南米
9.4.1 ブラジル
9.4.1.1 市場動向
9.4.1.2 市場予測
9.4.2 メキシコ
9.4.2.1 市場動向
9.4.2.2 市場予測
9.4.3 その他
9.4.3.1 市場動向
9.4.3.2 市場予測
9.5 中東・アフリカ
9.5.1 市場動向
9.5.2 国別市場内訳
9.5.3 市場予測
10 SWOT分析
10.1 概要
10.2 長所
10.3 弱点
10.4 機会
10.5 脅威
11 バリューチェーン分析
12 ポーターズファイブフォース分析
12.1 概要
12.2 買い手の交渉力
12.3 供給者の交渉力
12.4 競争の程度
12.5 新規参入の脅威
12.6 代替品の脅威
13 価格分析
14 競争環境
14.1 市場構造
14.2 主要プレーヤー
14.3 主要プレーヤーのプロフィール
14.3.1 アバランチ・テクノロジー社
14.3.1.1 会社概要
14.3.1.2 製品ポートフォリオ
14.3.2 クロッカス・ナノ・エレクトロニクス LLC
14.3.2.1 会社概要
14.3.2.2 製品ポートフォリオ
14.3.3 Everspin Technologies Inc.
14.3.3.1 会社概要
14.3.3.2 製品ポートフォリオ
14.3.3.3 財務
14.3.4 ハネウェル・インターナショナル・インク
14.3.4.1 会社概要
14.3.4.2 製品ポートフォリオ
14.3.4.3 財務
14.3.4.4 SWOT分析
14.3.5 インフィニオン・テクノロジーズAG
14.3.5.1 会社概要
14.3.5.2 製品ポートフォリオ
14.3.5.3 財務
14.3.5.4 SWOT分析
14.3.6 インテル コーポレーション
14.3.6.1 会社概要
14.3.6.2 製品ポートフォリオ
14.3.6.3 財務
14.3.6.4 SWOT分析
14.3.7 NVE株式会社
14.3.7.1 会社概要
14.3.7.2 製品ポートフォリオ
14.3.7.3 財務
14.3.8 クアルコム・インコーポレイテッド
14.3.8.1 会社概要
14.3.8.2 製品ポートフォリオ
14.3.8.3 財務
14.3.8.4 SWOT分析
14.3.9 Samsung Electronics Co. Ltd.
14.3.9.1 会社概要
14.3.9.2 製品ポートフォリオ
14.3.9.3 財務
14.3.9.4 SWOT分析
14.3.10 スピンメモリー
14.3.10.1 会社概要
14.3.10.2 製品ポートフォリオ
14.3.11 株式会社東芝
14.3.11.1 会社概要
14.3.11.2 製品ポートフォリオ
14.3.11.3 財務
14.3.11.4 SWOT分析
14.3.12 タワーセミコンダクター
14.3.12.1 会社概要
14.3.12.2 製品ポートフォリオ
14.3.12.3 財務
❖ 世界の磁気抵抗RAM（MRAM）市場に関するよくある質問(FAQ) ❖
・磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場規模は？
→IMARC社は2023年の磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場規模を6億1720万米ドルと推定しています。
・磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場予測は？
→IMARC社は2032年の磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場規模を110億7,630万米ドルと予測しています。
・磁気抵抗RAM（MRAM）市場の成長率は？
→IMARC社は磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場が2024年～2032年に年平均37.1%成長すると予測しています。
・世界の磁気抵抗RAM（MRAM）市場における主要企業は？
→IMARC社は「Avalanche Technology Inc.、Crocus Nano Electronics LLC、Everspin Technologies Inc.、Honeywell International Inc.、Infineon Technologies AG、Intel Corporation、NVE Corporation、Qualcomm Incorporated、Samsung Electronics Co. Ltd.、Spin Memory Inc.、Toshiba Corporation and Tower Semiconductor Ltd.など ...」をグローバル磁気抵抗RAM（MRAM）市場の主要企業として認識しています。
※上記FAQの市場規模、市場予測、成長率、主要企業に関する情報は本レポートの概要を作成した時点での情報であり、納品レポートの情報と少し異なる場合があります。
