世界のパワートランジスタ市場(2024年~2032年):製品別(低電圧FET、IGBTモジュール、RF/マイクロ波トランジスタ、高電圧FET、IGBTトランジスタ、その他)、種類別(バイポーラ接合型トランジスタ、電界効果トランジスタ、ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ、その他)、最終用途別(家電、通信・技術、自動車、製造、エネルギー・電力、その他)、用途別(OEM、アフターマーケット)、地域別

【英語タイトル】Power Transistors Market Report by Product (Low-Voltage FETs, IGBT Modules, RF/ Microwave Transistors, High Voltage FETs, IGBT Transistors, and Others), Type (Bipolar Junction Transistor, Field Effect Transistor, Heterojunction Bipolar Transistor, and Others), End-Use (Consumer Electronics, Communication and Technology, Automotive, Manufacturing, Energy and Power, and Others), Application (OEMs, Aftermarket), and Region 2024-2032

IMARCが出版した調査資料(IMARC24AUG0518)・商品コード:IMARC24AUG0518
・発行会社(調査会社):IMARC
・発行日:2024年7月
・ページ数:137
・レポート言語:英語
・レポート形式:PDF
・納品方法:Eメール
・調査対象地域:グローバル
・産業分野:電子&半導体
◆販売価格オプション(消費税別)
Single UserUSD2,999 ⇒換算¥455,848見積依頼/購入/質問フォーム
Five UserUSD3,999 ⇒換算¥607,848見積依頼/購入/質問フォーム
EnterprisewideUSD4,999 ⇒換算¥759,848見積依頼/購入/質問フォーム
販売価格オプションの説明
※お支払金額:換算金額(日本円)+消費税
※納期:即日〜2営業日(3日以上かかる場合は別途表記又はご連絡)
※お支払方法:納品日+5日以内に請求書を発行・送付(請求書発行日より2ヶ月以内に銀行振込、振込先:三菱UFJ銀行/H&Iグローバルリサーチ株式会社、支払期限と方法は調整可能)
❖ レポートの概要 ❖

世界のパワートランジスタ市場規模は、2023年に170億米ドルに達しました。今後、IMARC Groupは、2024年から2032年にかけて3.8%の成長率(CAGR)を示し、2032年までに241億米ドルに達すると予測しています。
パワートランジスタは、大電力アプリケーションのスイッチや増幅器として使用される電子部品です。ベース、エミッタ、コレクタと呼ばれる3つの半導体端子で構成され、絶縁体または導体として機能します。これらの半導体端子にはNPNまたはPNPの極性があり、電力とスイッチング速度の定格が異なります。現在、パワートランジスタは、スイッチング効率を向上させ、電子製品の電力効率を高めるのに役立つため、世界中で急速に普及しています。

パワー・トランジスタは熱をすばやく放散させるため、過熱を防ぎ、CO2排出量と電気料金を削減します。こうした利点から、パワートランジスタはさまざまな電子製品の主要部品となっています。さらに、世界人口の増加と化石燃料の消費量の増加により、電力効率の高い電子機器に対する需要が高まっています。これとは別に、メーカーはパワートランジスタの性能パラメータを向上させるためにさまざまな研究開発活動に投資し、シリコンやゲルマニウム以外の新しい半導体材料を発表しています。例えば、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)トランジスタに対する需要の高まりは、今後数年間の市場成長を促進すると予想されます。また、TCAD(Technology Computer Aided Design:コンピュータ支援設計)やデバイス・シミュレーションなどの最新プロセスを利用した製品設計の小型化も大きな市場トレンドであり、これによりメーカーは小型で高効率のパワー・トランジスタを設計できるようになりました。

主な市場セグメンテーション
IMARC Groupは、パワートランジスタの世界市場レポートの各サブセグメントにおける主要動向の分析と、2024年から2032年までの世界、地域、国レベルでの予測を提供しています。製品別、タイプ別、最終用途別、用途別に市場を分類しています。

製品別内訳

低電圧FET
IGBTモジュール
RF/マイクロ波トランジスタ
高電圧FET
IGBTトランジスタ
その他

タイプ別内訳

バイポーラ接合トランジスタ
電界効果トランジスタ
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
その他

用途別構成比

コンシューマー・エレクトロニクス
通信・技術
自動車
製造業
エネルギー・電力
その他

アプリケーション別内訳

OEM
アフターマーケット

地域別構成比

北米
米国
カナダ
アジア太平洋
中国
日本
インド
韓国
オーストラリア
インドネシア
その他
ヨーロッパ
ドイツ
フランス
イギリス
イタリア
スペイン
ロシア
その他
ラテンアメリカ
ブラジル
メキシコ
その他
中東・アフリカ

競争状況:
業界の競争環境についても調査しており、主なプレーヤーとしては、Champion Microelectronic Corp.、Diodes Incorporated、Infineon Technologies AG、Linear Integrated Systems、三菱電機株式会社、NXP Semiconductors N.V.、Semiconductor Components Industries, LLC、Renesas Electronics Corporation、SEMIKRON International GmbH、STMicroelectronics International N.V.、Texas Instruments Incorporated、Torex Semiconductor Ltd.、Toshiba Corporation、Vishay Intertechnology Inc.などが挙げられます。

本レポートで扱う主な質問
パワートランジスタの世界市場はこれまでどのように推移してきましたか?
主要地域市場とは?
COVID-19がパワートランジスタの世界市場に与えた影響は?
製品別の市場構成は?
タイプ別の内訳は?
最終用途別の内訳は?
用途別の市場構成は?
業界のバリューチェーンにおける様々な段階とは?
業界の主な推進要因と課題は?
世界のパワートランジスタ市場の構造と主要プレーヤーは?
業界における競争の度合いは?

グローバル市場調査レポート販売サイトのwww.marketreport.jpです。

❖ レポートの目次 ❖

1 序文
2 調査範囲と方法論
2.1 調査の目的
2.2 ステークホルダー
2.3 データソース
2.3.1 一次情報源
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法
3 エグゼクティブ・サマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要産業動向
5 世界のパワートランジスタ市場
5.1 市場概要
5.2 市場パフォーマンス
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 製品別市場構成
6.1 低電圧FET
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 IGBTモジュール
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
6.3 RF/マイクロ波トランジスタ
6.3.1 市場動向
6.3.2 市場予測
6.4 高電圧FET
6.4.1 市場動向
6.4.2 市場予測
6.5 IGBTトランジスタ
6.5.1 市場動向
6.5.2 市場予測
6.6 その他
6.6.1 市場動向
6.6.2 市場予測
7 タイプ別市場
7.1 バイポーラ接合型トランジスタ
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 電界効果トランジスタ
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
7.3 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
7.3.1 市場動向
7.3.2 市場予測
7.4 その他
7.4.1 市場動向
7.4.2 市場予測
8 用途別市場
8.1 コンシューマー・エレクトロニクス
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 通信・技術
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
8.3 自動車
8.3.1 市場動向
8.3.2 市場予測
8.4 製造業
8.4.1 市場動向
8.4.2 市場予測
8.5 エネルギーと電力
8.5.1 市場動向
8.5.2 市場予測
8.6 その他
8.6.1 市場動向
8.6.2 市場予測
9 アプリケーション別市場
9.1 OEM
9.1.1 市場動向
9.1.2 市場予測
9.2 アフターマーケット
9.2.1 市場動向
9.2.2 市場予測
10 地域別市場構成
10.1 北米
10.1.1 米国
10.1.1.1 市場動向
10.1.1.2 市場予測
10.1.2 カナダ
10.1.2.1 市場動向
10.1.2.2 市場予測
10.2 アジア太平洋
10.2.1 中国
10.2.1.1 市場動向
10.2.1.2 市場予測
10.2.2 日本
10.2.2.1 市場動向
10.2.2.2 市場予測
10.2.3 インド
10.2.3.1 市場動向
10.2.3.2 市場予測
10.2.4 韓国
10.2.4.1 市場動向
10.2.4.2 市場予測
10.2.5 オーストラリア
10.2.5.1 市場動向
10.2.5.2 市場予測
10.2.6 インドネシア
10.2.6.1 市場動向
10.2.6.2 市場予測
10.2.7 その他
10.2.7.1 市場動向
10.2.7.2 市場予測
10.3 欧州
10.3.1 ドイツ
10.3.1.1 市場動向
10.3.1.2 市場予測
10.3.2 フランス
10.3.2.1 市場動向
10.3.2.2 市場予測
10.3.3 イギリス
10.3.3.1 市場動向
10.3.3.2 市場予測
10.3.4 イタリア
10.3.4.1 市場動向
10.3.4.2 市場予測
10.3.5 スペイン
10.3.5.1 市場動向
10.3.5.2 市場予測
10.3.6 ロシア
10.3.6.1 市場動向
10.3.6.2 市場予測
10.3.7 その他
10.3.7.1 市場動向
10.3.7.2 市場予測
10.4 中南米
10.4.1 ブラジル
10.4.1.1 市場動向
10.4.1.2 市場予測
10.4.2 メキシコ
10.4.2.1 市場動向
10.4.2.2 市場予測
10.4.3 その他
10.4.3.1 市場動向
10.4.3.2 市場予測
10.5 中東・アフリカ
10.5.1 市場動向
10.5.2 国別市場内訳
10.5.3 市場予測
11 SWOT分析
11.1 概要
11.2 長所
11.3 弱点
11.4 機会
11.5 脅威
12 バリューチェーン分析
13 ポーターズファイブフォース分析
13.1 概要
13.2 買い手の交渉力
13.3 供給者の交渉力
13.4 競争の程度
13.5 新規参入の脅威
13.6 代替品の脅威
14 価格指標
15 競争環境
15.1 市場構造
15.2 主要プレーヤー
15.3 主要プレーヤーのプロフィール
15.3.1 チャンピオン・マイクロエレクトロニクス・コーポレーション
15.3.1.1 会社概要
15.3.1.2 製品ポートフォリオ
15.3.1.3 財務
15.3.2 ダイオーズ・インコーポレイテッド
15.3.2.1 会社概要
15.3.2.2 製品ポートフォリオ
15.3.2.3 財務
15.3.3 インフィニオンテクノロジーズAG
15.3.3.1 会社概要
15.3.3.2 製品ポートフォリオ
15.3.3.3 財務
15.3.3.4 SWOT分析
15.3.4 リニア・インテグレーテッド・システムズ
15.3.4.1 会社概要
15.3.4.2 製品ポートフォリオ
15.3.5 三菱電機
15.3.5.1 会社概要
15.3.5.2 製品ポートフォリオ
15.3.5.3 財務
15.3.5.4 SWOT分析
15.3.6 NXPセミコンダクターズN.V.
15.3.6.1 会社概要
15.3.6.2 製品ポートフォリオ
15.3.6.3 財務
15.3.6.4 SWOT分析
15.3.7 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ LLC
15.3.7.1 会社概要
15.3.7.2 製品ポートフォリオ
15.3.7.3 財務
15.3.7.4 SWOT分析
15.3.8 ルネサス エレクトロニクス
15.3.8.1 会社概要
15.3.8.2 製品ポートフォリオ
15.3.8.3 財務
15.3.8.4 SWOT分析
15.3.9 セミクロン
15.3.9.1 会社概要
15.3.9.2 製品ポートフォリオ
15.3.9.3 財務
15.3.10 STMマイクロエレクトロニクス
15.3.10.1 会社概要
15.3.10.2 製品ポートフォリオ
15.3.10.3 財務
15.3.11 テキサス・インスツルメンツ
15.3.11.1 会社概要
15.3.11.2 製品ポートフォリオ
15.3.11.3 財務
15.3.11.4 SWOT分析
15.3.12 トーレックス・セミコンダクター
15.3.12.1 会社概要
15.3.12.2 製品ポートフォリオ
15.3.12.3 財務
15.3.13 株式会社東芝
15.3.13.1 会社概要
15.3.13.2 製品ポートフォリオ
15.3.13.3 財務
15.3.13.4 SWOT分析
15.3.14 Vishay Intertechnology Inc.
15.3.14.1 会社概要
15.3.14.2 製品ポートフォリオ
15.3.14.3 財務
15.3.14.4 SWOT分析



❖ 世界のパワートランジスタ市場に関するよくある質問(FAQ) ❖

・パワートランジスタの世界市場規模は?
→IMARC社は2023年のパワートランジスタの世界市場規模を170億米ドルと推定しています。

・パワートランジスタの世界市場予測は?
→IMARC社は2032年のパワートランジスタの世界市場規模を241億米ドルと予測しています。

・パワートランジスタ市場の成長率は?
→IMARC社はパワートランジスタの世界市場が2024年〜2032年に年平均3.8%成長すると予測しています。

・世界のパワートランジスタ市場における主要企業は?
→IMARC社は「Champion Microelectronic Corp.、Diodes Incorporated、Infineon Technologies AG、Linear Integrated Systems、Mitsubishi Electric Corporation、NXP Semiconductors N.V.、Semiconductor Components Industries、LLC、Renesas Electronics Corporation、SEMIKRON International GmbH、STMicroelectronics International N.V.、Texas Instruments Incorporated、Torex Semiconductor Ltd.、Toshiba Corporation、and Vishay Intertechnology Inc.など ...」をグローバルパワートランジスタ市場の主要企業として認識しています。

※上記FAQの市場規模、市場予測、成長率、主要企業に関する情報は本レポートの概要を作成した時点での情報であり、納品レポートの情報と少し異なる場合があります。

★調査レポート[世界のパワートランジスタ市場(2024年~2032年):製品別(低電圧FET、IGBTモジュール、RF/マイクロ波トランジスタ、高電圧FET、IGBTトランジスタ、その他)、種類別(バイポーラ接合型トランジスタ、電界効果トランジスタ、ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ、その他)、最終用途別(家電、通信・技術、自動車、製造、エネルギー・電力、その他)、用途別(OEM、アフターマーケット)、地域別] (コード:IMARC24AUG0518)販売に関する免責事項を必ずご確認ください。
★調査レポート[世界のパワートランジスタ市場(2024年~2032年):製品別(低電圧FET、IGBTモジュール、RF/マイクロ波トランジスタ、高電圧FET、IGBTトランジスタ、その他)、種類別(バイポーラ接合型トランジスタ、電界効果トランジスタ、ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ、その他)、最終用途別(家電、通信・技術、自動車、製造、エネルギー・電力、その他)、用途別(OEM、アフターマーケット)、地域別]についてメールでお問い合わせ


◆H&Iグローバルリサーチのお客様(例)◆